SK하이닉스, 3세대 10나노급 D램 개발 - 한겨레

생산성 27%↑…“내년 공급”
단일 칩 기준 업계 최대용량

에스케이(SK)하이닉스가 개발한 3세대 10나노급(1z) DDR4 D램. 에스케이하이닉스 제공

에스케이(SK)하이닉스는 3세대 10나노급 미세공정을 적용한 16Gbit(기가비트) DDR4 D램을 개발했다고 21일 밝혔다. 16Gb는 단일 칩 기준 업계 최대 용량으로, 현존하는 D램 가운데 웨이퍼 한 장에서 생산되는 메모리 총 용량이 가장 크다. 2세대 제품 대비 생산성은 27%가량 향상됐으며 초고가인 극자외선(EUV) 노광 공정이 없이도 생산이 가능해 원가 경쟁력도 갖췄다고 에스케이하이닉스는 설명했다. 데이터 전송 속도는 DDR4 규격 최고 속도인 3200Mbps까지 지원하며 전력 소비는 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량 모듈보다 40%가량 줄었다. 에스케이하이닉스는 연내 양산 준비를 마친 뒤 내년부터 이 제품을 본격적으로 시장에 공급할 계획이다. 송경화 기자 freehwa@hani.co.kr

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2019-10-21 06:46:42Z
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